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专利 I 高效率电池防反接电路制造技术

2023年3月5日 18:20
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专利技术属性

技术研发人员:肖守明,黄绪文,

申请(专利权)人:深圳市浩鑫能源有限公司

技术特征摘要

1.一种高效率电池防反接电路,其特征在于:所述高效率电池防反接电路包括二极管D1、电阻R1、防反接电路及开关RL,防反接电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、开关RL及电感L1,二极管D1分别与开关RL及电阻R1连接,开关RL分别与电容C1、场效应管Q1、电容C2...

技术介绍

市面上的一些防电池反接的方式为在电路与电池之间放置一大电流的开关,以防反接,如此设置会导致输出的高电流会流过该开关,由于开关内本身即为一较大的导通内阻,使得在使用时开关的两端会产生压降,进而导致开关发热、寿命变短。因此,现有技术存在不足,需要改进。

技术实现思路

针对上述现有技术存在的缺陷,本技术的目的在于提供一种高效率电池防反接电路。

为实现上述目的,本技术提供了一种高效率电池防反接电路,包括二极管D1、电阻R1、防反接电路及开关RL,防反接电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、开关RL及电感L1,二极管D1分别与开关RL及电阻R1连接,开关RL分别与电容C1、场效应管Q1、电容C2、场效应管Q3、电容C4、电容C6及电阻R1连接,场效应管Q1分别与电容R2、场效应管Q2、电阻R4及电感L1连接,电容C2与电阻R4连接,电感L1分别与电阻R6、场效应管Q3、电阻R8、场效应管Q4及电容C5连接,电阻R6与场效应管Q3连接,电阻R8与电容C4连接,电容C6分别与电阻R9、电阻R7及场效应管Q4连接,电容C5与电阻R9连接,电容C1分别与电阻R3、场效应管Q2及电阻R5...

技术简述

本实用新型专利技术涉及一种高效率电池防反接电路,包括二极管D1、电阻R1、防反接电路及开关RL,防反接电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、开关RL及电感L1,二极管D1分别与开关RL及电阻R1连接,开关RL分别与电容C1、场效应管Q1、电容C2、场效应管Q3、电容C4、电容C6及电阻R1连接,场效应管Q1分别与电容R2、场效应管Q2、电阻R4及电感L1连接,电容C2与电阻R4连接,电感L1分别与电阻R6、场效应管Q3、电阻R8、场效应管Q4及电容C5连接,电阻R6与场效应管Q3连接,电阻R8与电容C4连接。与电容C4连接。与电容C4连接。